課外百科物理知識點之氫化非晶硅

　　氫化非晶硅(amorphousSi:H)

　　含有大量硅氫鍵的非晶硅稱為氫化非晶硅即a-Si:H或非晶硅氫合金，a-Si:H中含氫量達3～50。a-Si:H通常采用輝光放電法或濺射法制備，其電導及光電性質(zhì)密切依賴于制備條件。a-Si:H中的氫能夠補償非晶硅中大量存在的懸掛鍵，使其缺陷態(tài)密度大大降低，從而導致a-Si:H具有顯著的摻雜效應，電導率可改變約10個量級。a-Si:H具有比晶體硅更高的光電導響應，光電導與暗電導比值可達104～105。a-Si:H的光學帶隙約1.7eV，對整個太陽光譜的吸收系數(shù)大于104cm-1，1μm厚的a-Si:H薄膜可以實現(xiàn)對太陽光譜的完全吸收，因此它成為廉價太陽電池的基礎(chǔ)材料。a-Si:H的另一重要用途是用a-Si:H制作的薄膜場效應管作為液晶顯示屏的開關(guān)矩陣。

【課外百科物理知識點之氫化非晶硅】相關(guān)文章：

物理的課外活動總結(jié)03-15

中考物理必考知識點匯總04-01

物理課外活動總結(jié)05-13

物理課外活動總結(jié)12篇03-14

物理課外活動總結(jié)(12篇)03-15

物理課外活動總結(jié)13篇03-25

2022年初中物理期末知識點匯總08-01

孟非的語錄10-31

2023高考物理電磁學和交變電流知識點04-28

任正非語錄12-21